在11月8日的“第十三届(上海)新能源汽车核心电源技术研讨会”上，长园维安产品应用经理郭建军先生带来了《超结SJ-MOSFET 在充电机领域的应用》的主题演讲。
郭经理演讲内容大致可分为MOSFET ID&IDM、防止LLC启动/短路，MOSFET直通的电路，浪涌抑制电路、新能源充电机/充电桩以及长园维安SJ-MOSFET。
作为研讨会当日第一位出场演讲嘉宾，郭经理首先介绍了MOSFET的内部框架，如下图中间红色部分是主芯片，周围布满银胶形状主要是起连接作用，最外层的塑封体是用于绝缘固化，整个框架可以理解为是一个散热器。再如下正视图可见，中间区域为有源区，边缘处为终端区，如果放大内部构造看的话，是可以看到单个MOS的模块是串联并联的状态，并且单体的性能决定了整体的性能，另外MOS模块要做到高度电压，就要串联更多的模块。
郭建军认为，目前MOS模块是市面上比较热门的氮化镓碳化硅新材料的关键产品，为了做到更小的电阻，就要避免更多的单体，因此在规范化期间做到更高耐压1200伏，1700伏则是它的优势。
SJ-MOSFET主要工艺
据郭建军介绍，SJ-MOSFET 主要工艺 Multi-EPI 多次外延首先从为N- epi 生长、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循环多次迭代形成结构、制作MOS表面结构。
而SJ-MOSFET 主要工艺-Deep Trench 深沟槽首先是N- epi生长、然后刻蚀深沟槽、再者生长P型外延、最后才是制作MOS表面结构。
MOSFET封测顺序则是晶粒切割、晶粒黏贴、焊线、塑封、切割成型以及最终测试。
MOSFET IDM：
1) 在一定的脉冲宽度下，基于功率MOSFET的转移工作特性或输出特性的真正的单脉冲最大电流测量值。
2) 在一定的脉冲宽度下，基于瞬态的热阻和最大结温的计算值。
(3) IDM 最大漏极电流也由器件源极键合引线的熔断电流决定。
防止LLC启动/短路，MOSFET直通的电路
郭建军表示，推荐使用MOSFET 内部快速恢复二极管，而例如 INF CFD2，则有成本高，未从源头消除问题的不足之处。
浪涌抑制电路
郭建军对于浪涌抑制电路较为理想，他认为它的优势在于GDT 小的技术电容不影响信号和系统连接;MOV 漏电流更小(MOV 理解为待机状态，不是时刻都接入到母线中);开关电源和白色家电产品延长MOV 的寿命，提高系统可靠性。
车载充电机
结合今次新能源汽车主题，长园维安第三代深沟槽工艺应用于车载充电机上防浪涌防雷电路、有源PFC整流器、主功率、辅助电源+5V和+12V。
最后，SJ-MOS创新封装优势在于无引脚封装，低寄生电感还有助于最大限度地减少电磁干扰，尺寸更小，适合更高的功率密度产品，(3200VAC,100%测试)热阻与普通TO-22—样省去绝缘垫片和绝缘粒节省或者减小散热片，半桥拓扑无需使用绝缘垫。
